收藏本站
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
33 4134 38 39 4036
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on) 10% Duty Cycle
60
Ideal
56
54
52
37
57
55
49
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 30 V
53
58
35
32
31
59
51
50
30
Actual
1880 MHz
1845 MHz
1880 MHz
1845 MHz
1805 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1805
302
54.8
363
55.6
1845
324
55.1
389
55.9
1880
302
54.8
389
55.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
1805
P1dB
1.14 -- j3.12
0.75 -- j0.93
1845
P1dB
1.61 -- j3.61
0.58 -- j0.10
1880
P1dB
2.93 -- j3.80
0.51 -- j1.14
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 30 V
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF8S19140HSR3 FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS
MRF8S19260HSR6 FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8
MRF8S21120HSR3 FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
MRF8S21140HSR3 FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6 MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3 FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3 FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
相关代理商/技术参数
MRF8S19140HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S19140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S19140HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF8S19140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S19140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S19260H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S19260HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S19260HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray